El material Carburo de Silicio es conocido e investigado desde hace más de diez años para su aplicación en dispositivos de potencia, sin embargo, su uso como componentes de tipo transistor no se ha extendido debido a la baja fiabilidad motivada por a las imperfecciones generadas durante su fabricación. Las imperfecciones indicadas giran en torno a aspectos intrínsecos del proceso productivo de las obleas y que solamente permitían la fabricación de componentes de tipo transistor de tamaño reducido, y en consecuencia, de baja potencia.
Sin embargo, en estos últimos años las técnicas de fabricación han mejorado notablemente permitiendo obleas con un número menor de imperfecciones, y en consecuencia, mayores tamaños de componentes y transistores MOSFET de mayores potencias. Concretamente, los tamaños de los SiC-MOSFET se sitúan actualmente en 56mm2 con una resistencia de canal de 5,5 mOhm/cm2, permitiendo mayores concentraciones de potencia y mayores temperaturas de funcionamiento que la tecnología convencional de Silicio.
La reducción de pérdidas que aporta el Carburo de Silicio frente a los componentes tipo transistor convencionales, se encuentra entre el 50% y el 80%. Adicionalmente dicha tecnología ofrece mejoras en la eficiencia del módulo, en la capacidad dv/dt, en la robustez frente a sobretensiones, reducción del número de componentes requeridos, así como posibilitan el trabajo con altas temperaturas y frecuencias. Todo lo indicado lo hacen candidato para la sustitución de las actuales tecnologías de Si por la tecnología de SiC.
El objetivo científico tecnológico del proyecto SiC-FET2 es la investigación de demostradores de la tecnología de Carburo de Silicio (SiC) en aplicaciones específicas de alta frecuencia en el campo de calentamiento por inducción y que incorporen como elemento semiconductor transistores SiC-MOSFET. La investigación de los demostradores se centrará en los siguientes desarrollos basados en la tecnología del carburo de silicio:
El alcance del proyecto se centra en el desarrollo de tres demostradores de la tecnología de Carburo de Silicio aplicados al campo del tratamiento térmico industrial por inducción, en concreto:
El proyecto ha sido cofinanciado por el Ministerio de Industria, Energía y Turismo, dentro del Plan Nacional de Investigación Científica, Desarrollo e Innovación Tecnológica 2013-2016 y cofinanciado por fondos FEDER.
El número de referencia del proyecto es: TSI-100103-2015-26.
Año: 2015
